硅能够形成硅氧化物，这是硅工艺中的一个关键因素。二氧化硅由一个硅原子和两个氧原子组成。这是普通玻璃的化学成分，但是半导体所用的二氧化硅要更加纯净。二氧化硅层生长在裸硅的表面，这一过程称为热氧化。

       晶圆片进入扩散炉内，暴露在氧气当中，氧原子与硅原子进行化合反应，这一过程称为线形阶段。当膜厚长到500埃后，氧气不再直接与硅接触。此时已经存在薄层中的氧扩散到硅表面，薄层继续保持生长。

       有两种主要方式可以生长氧化层：干氧法和湿氧法。生长厚度小于1000埃的氧化层用干氧法为佳。

       热氧化是用来生产简单和复杂半导体的“积木”。当长成高质量的晶圆片后，便成为很好的介质或绝缘层。