100毫米(4”)的晶圆片问世于1975年，此规格的晶圆片直到1981年150毫米(6”)晶圆片首次投入生产后，才成为行业标准。如今，100毫米的晶圆片仍然有着广泛的应用。目前4” 晶圆片应用于绝缘硅(SOI)的开发，同时用于许多光学和MEMS的应用中。这一直径规格的晶圆片也在很多光学和微型机电系统(MEMS) 中应用。SVM备有不同规格100毫米的晶圆片，下面仅列出几个产品规格，如有任何问题 请与我们联系。

直径: 100 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: <100> +/- 1°
生长方法: Cz
电阻率: 10-30 Ω-cm
厚度: 500-550 μm
TTV: <10 μm
TIR: <6 μm
金属: <5xEIO
正面: 抛光
反面: 蚀刻
颗粒数: <10@0.3
平边: 2 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 100 +/-0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: <100> +/- 1°
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
厚度: 450-550 μm
TTV: <=10 μm
正面: 抛光
反面: 抛光
平边: 2 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 100 +/-0.2 mm
类型/搀杂剂: N/磷
定位: <100> +/- 1°
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
厚度: 500-550 μm
正面: 抛光
反面: 蚀刻
平边: 2 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 100 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: 客户定制
定位: 客户定制
生长方法: Cz
电阻率: 客户定制
厚度: 客户定制
TTV: 客户定制
正面: 抛光
反面: 客户定制
平边: 2 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准