150毫米(6”)晶圆片的问世于1981年。自从200毫米晶圆片以及更新的300毫米晶圆片问世以来，150毫米晶圆片已经逐渐淡出了。但是，目前6”晶圆片还是有很高的需求。 SVM备有许多不同规格150毫米的晶圆片，在此我们列出几个产品规格，如欲获取更多的信息或您在此没有找到所需要的规格，请与SVM联系 。

直径: 150 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
厚度: 650-700 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=1 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=30@>=0.2 μm
反面: 蚀刻
平边: 1 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 150 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: N/磷
定位: {100} +/- 1
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
厚度: 650-700 μm
TTV: <=5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=1 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=30@>=0.2 μm
反面: 蚀刻
平边: 1 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 150 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1
生长方法: Cz
电阻率: 10-30 Ω-cm
厚度: 660-690 μm
TTV: <=3 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=0.2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=20@>=0.2 μm
反面: 蚀刻
平边: 1 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 150 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1
生长方法: Cz
电阻率: 10-30 Ω-cm
氧成份: 27-33 ppma
氧堆垛层错 (OSF): <=100/cm2
碳成份: <=1.0 ppma
金属: <5xE10
厚度: 660-690 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=4 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=30@>=0.2 μm
反面: 蚀刻
平边: 1 SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准