200毫米(8”)晶圆片问世于1958年，而今仍是行业标准。从世界范围来看，200毫米晶圆片的产量多于其它任何规格。 此规格的晶圆片有着多种多样的应用，包括测试和校准设备以及可能应用于移动电话或纯平电视上的设备。SVM备有大量不同规格的200毫米晶圆片。 下面我们列出了一些供货规格。如欲获取更多的信息或您在此没有找到所需要的规格， 请与SVM联系。

直径: 200 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 10-30 Ω-cm
金属: <5xE9
厚度: 700-750 μm
TTV: <=3 μm
GTIR: <=5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
局部平整 (STIR): <=1 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.12 μm
反面: 蚀刻
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 200 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 10-20 Ω-cm
金属: <5xE10
厚度: 710-740 μm
TTV: <=6 μm
Bow/Warp: <=40 μm
局部平整 (STIR): <=2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.16 μm
反面: 蚀刻
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 200 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
金属: <5xE10
厚度: 700-750 μm
TTV: <=4 μm
Bow/Warp: <=40 μm
局部平整 (STIR): <=0.2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.16 μm
反面: 蚀刻
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 200 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-50 Ω-cm
厚度: 700-750 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=50 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=30@>=0.2 μm
反面: 蚀刻
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 200 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 0.005-0.02 Ω-cm
金属: <5xE9
厚度: 700-750 μm
TTV: <=5 μm
GTIR: <= 5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
局部平整 (STIR): <=1 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.16 μm
反面: 蚀刻
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准

直径: 200 +/- 0.2 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
光刻级别: Epi
电阻率: 客户定制
厚度: 700-750 μm
Epi 层厚度: 客户定制
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
正面: 抛光
反面: 蚀刻或背面氧化密封
凹槽: SEMI 标准
边缘: 成圆和抛光/SEMI标准