300毫米(12”)晶圆片问世于1995年。 近几年，我们亲眼目睹了300毫米晶圆片在应用上的迅猛发展。 几乎所有的主要芯片制造商都已经或正在计划建立300毫米晶圆片生产设备，同时众设备制造商也忙于生产新模具以适用于12”晶圆片。 所有300毫米晶圆片都为双面抛光结构，并且有一个豁口，该豁口与200毫米晶圆片中的一样。SVM有着许多不同级别的300毫米晶圆片，很乐意为各行各业的客户提供需要的产品。 在此我们列出几个产品规格，如需更多相关信息 ，请与SVM联系。

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
光电阻梯度 (RRG): <=10%
含氧量: <=30 ppma
含碳量: <= 1 ppma
金属表面: <=1xE10
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.09 μm
反面: 抛光

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
光电阻梯度 (RRG): <=10%
含氧量: <=30 ppma
含碳量: <= 1 ppma
金属表面: <=1xE10
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.12 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.16 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
局部平整 (STIR): <= 0.13 μm
Bow/Warp: <=40 μm 正面: 抛光
颗粒数: <=30@>=0.2 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
正面: 抛光
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-100 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=100@>=0.2 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

P+

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.12 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=50@>=0.16 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
正面: 抛光
颗粒数: <=200@>=0.2 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI 标准