“外延”一词来源于希腊语，意为“排列其上”。在半导体技术中，该词是指硅层的单晶结构。这种结构是在CVD设备中把硅原子淀积在裸露的晶圆片上而获得的。当化学反应物受控且系统参数设置正确时，携带足够能量的硅原子到达晶圆片表面，在晶圆片表面上运动并按照晶圆片的晶格排列自我定向。因此，淀积在<111>晶向硅圆片上的外延层，将具有<111>晶向。

       另一方面，如果晶圆片表面具有一个二氧化硅薄层，非晶层或污染物，淀积的硅原子就不会规则排列。这样形成的结构为多晶硅。这种结构有其他一些用途，如金属氧化物半导体(MOS)的栅极，如果我们的目的是得到单晶结构的外延层，则该结构不是我们所想要的。

Microchip Fabrication(微芯片制作) 第四版，由彼得.范.桑特编撰，© 2000。

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