浮区法(FZ)

       浮区法是第一批硅锭生长工艺之一，于二十世纪六十年代早期开发成功。 典型的浮区法晶圆片具有高电阻和低氧浓度，晶体纯度极高。目前，浮区法晶圆片不再象以往那样被广泛使用，但是他们还是被用在一些特殊的场合。浮区法不能象CZ工艺一样生成大直径的晶圆片。比起浮区法工艺来，CZ工艺也更为经济省时。如果您对浮区法晶圆片有任何疑问，或是欲就某一规格产品进行咨询， 请与SVM联系。