硅片和半导体服务

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晶圆片
级别
  
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颗粒级

       典型的颗粒级晶圆片是指300毫米晶圆片,其沾污和颗粒最少。颗粒尺寸有多种: 0.09 微米, 0.12 微米, 0.16 微米, 0.20 微米 和 0.30 微米为常见规格。每一特定尺寸的颗粒数目预先限定为10, 20, 50, 等. 如规格写为: ≤50@≥0.12 μm. 这表示在整个晶圆片上有小于等于50个尺寸为大于 0.12 微米 微米的颗粒。 试想一下,人的头发大约有1微米粗,而这些颗粒极小,小得人们用肉眼无法看见。而肉眼可见的最小颗粒为0.5微米。

       一般认为颗粒级晶圆片非常洁净。根据用户的需求,我们有几个规格的晶圆片可视为颗粒级别。在此列出了几个SVM库存中备有的颗粒级晶圆片规格。如果您有任何问题或没有找到所需要的晶圆片, 请与SVM联系, 把您的需要告诉我们友好而知识丰富的销售人员。

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
光电阻梯度 (RRG): <=10%
含氧量: <=30 ppma
含碳量: <= 1 ppma
金属表面: <=1xE10
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 抛光
颗粒计算: <=50@>=0.09 μm
反面: 抛光

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
光电阻梯度 (RRG): <=10%
含氧量: <=30 ppma
含碳量: <= 1 ppma
金属表面: <=1xE10
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 抛光
颗粒计算: <=50@>=0.12 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI标准

直径: 300 +/- 0.5 mm
类型/搀杂剂: P/硼
定位: {100} +/- 1º
生长方法: Cz
电阻率: 1-30 Ω-cm
厚度: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 抛光
颗粒计算: <=50@>=0.16 μm
反面: 抛光
凹槽: SEMI标准