P+ 或 N+ 低电阻率晶圆片
P+ 晶圆片有很高的掺杂率，可获得非常低的电阻率，其典型电阻性能为0.002-0.05 欧姆-厘米。
此类晶圆片用在需要较高导电性能的应用场合。在SVM的库存中，备有所有直径规格的P+ 或 N+ 晶圆片。
如果您想进一步了解SVM的低电阻率晶圆片解决方案，请与SVM联系。
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晶圆片
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